技术特点
- 职能：晶圆级衬底 ，高保真复造、高精度套准、低残留压印
- 用处：半导体晶圆、微透镜阵劣注光子芯片、微流控芯片、光波导
机能参数
- 衬底幅面：≤12吋；8吋/12吋玻璃/硅片 ，兼容4吋/6吋硅片
- 压印模式：卷对平、 平对平（可。；上胶方式：旋涂; 点胶（可。
- 压印个性：胶厚均匀性优于±5%；残留层 <20nm@结构(50nm-2μm)
- 渣滓层厚度：20μm-200μm（厚度精密可控 ，平对平模式）
- 套准精度：±5μm@6吋（双面套准 ，6轴精密调整平台）
- 光源：1000mW/cm?@365nm（LED面光源）
- 压印平台：衬底微孔晶圆吸附 ，温控及自动冷却（up 100℃±3%）
- 净化等级：内部环境Class10（表部环境要求：Class100）
- 环境温度：15-25℃ ，湿度：≤70%
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